近日，在第六届国际先进光刻技术研讨会上，佳能公司半导体设备开发部总经理Keita Sake分享了半导体器件制造中纳米压印光刻（NIL）技术的最新进展。
NIL技术是铠侠公司与佳能合作研发的光刻技术。其工作原理是以机械复制品为基础，利用印刷技术和微电子制造技术相结合，采用电子束刻蚀技术，避免了光的衍射。它可以解决光学衍射所带来的分辨率限制，使电子线路宽度更小，理论上，它的分辨率要高于EUV光刻机。
目前，Kioxia已经将NIL技术应用到了15nm NAND闪存器上，并有望在2025年推出应用NIL技术的5nm芯片。
Keita Sake首先介绍了NIL技术的应用空间。NZ2C与模板的结合可以提供多种多样的解决方案，超越摩尔定律是其主要目标，佳能正在尝试将NIL技术应用到DRAM和CPU等逻辑芯片上。
然后，Keita Sake分享了半导体器件和掩膜路线图。在2022年-2024年间3D NAND使用工艺需要套刻精度5nm、DRAM使用设备工艺需要套刻精度2.8-2.4nm、逻辑器件使用设备工艺需要套刻精度2.4nm；在2025-2027年间，3D NAND使用设备工艺需要套刻精度5nm、DRAM使用设备工艺需要套刻精度2.2-2.0nm、逻辑器件使用设备工艺需要套刻精度2nm；在2028之后，3D NAND使用设备工艺需要套刻精度5nm、DRAM使用设备工艺需要小于2nm、逻辑器件使用设备工艺则达到了1.6nm。
Keita Sake表示，基于该路线图，高分辨率掩膜正在开发，使NIL应用于多个DRAM个逻辑设备迭代。
关于NIL技术的套刻精度稳定性方面，Keita Sake表示其系统对XMMO有各种失真校正方法包括磁力闭环控制（CLCM）、高阶畸变矫正（HODC）、跌落模式补偿（DPC）、压印倾斜、精细掩膜等。
针对3D NAND方面，NIL技术的日常套刻精度稳定性，3.5个月内有45个数据点，满足3D NAND大规模生产水平。
针对DRAM方面，佳能一直在不断改进套刻精度。使用POI 控制技术、晶圆区卡盘控制、精细掩膜等方式有助于改善套刻精度。
佳能在缺陷检测方面，使用KLA 2905检测的随机缺陷密度后，进行缺陷复查。结果表明，NIL技术的日常缺陷稳定性满足3D NAND大规模生产水平。
使用不同粒子加法器在几种NIL工具上的测试结果表明，无论何种工具都稳定的保持NIL刀具的清洁度，并且除了提高NIL工具的清洁度外，利用清洁和检查方法也有助于减少颗粒的相关缺陷。如果将晶圆颗粒检测器（WPC）安装在NZ2C工具上，则裸晶片上检测到大于200nm的颗粒。
Keita Sake同时分享了提高生产率的方式。经过实验，设备系统吞吐量与抗蚀剂特性的填充密切相关，在SOC膜存在的情况下，CO2扩散到底层的速度比氦快。模拟结果表明，在抗蚀剂叠层的底层包括SOC膜的情况下，CO2的效率更高。
正因如此，CO2的使用为实现更高的吞吐量提供了一条途径，同时也减少了NIL工具中惰性气体的使用。
在数据管理和系统支持方面，Lithography Plus使用AI方法最大限度的提高设备性能。在佳能公司各部门的配合下，使用大数据搭配合适的曝光工具、光刻工具、计量工具以实现多功能一体系统，提高生产率。
Keita Sake还提到了NIL技术对于环境的影响。佳能根据客户需求提供可持续的NIL技术。为了保持无污染的可持续未来，采用环保工具和工艺，保证低功耗、最小电阻损耗、无抗蚀剂显影过程、无惰性气体，并且适用于设备演进和多样化，其原理简单、无波长或NA分辨率限制，可以制造功耗更低的芯片。
在低功耗方面，预计NIL技术可以作为一种长期制造技术使用，而不会增加功耗，因为即使设备节点在未来进步，图案传输过程本身也不会改变。
最后，Keita Sake进行了总结。高级的NIL工具和掩膜相结合可以为许多不同的应用提供多种解决方案，佳能展示了2.3nm套刻精度应用于各种新技术，主要用在DRAM方面。
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