在晶圆代工厂里，台积电和三星是排名前两位的，双方已开始竞争3nm工艺，并布局更先进的制程工艺。但是，中芯国际也是不可忽视的竞争者，在成熟工艺方面具备较强的竞争力，且还在奋力追赶14/7nm工艺。
其一，扩张成熟工艺形成优势
上个月底，中芯国际计划在天津投资75亿美元，建设一座12英寸晶圆代工生产线项目，月产达10万片，可提供 28 纳米至 180 纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。
再算上之前的， 中芯国际先后已经投资超1700亿，扩张28nm等成熟工艺的产能，而台积电和三星却在竞争3nm工艺。 比如，台积电花大力气赴美投资5/3nm的先进工艺，并没太重视28nm等成熟工艺。
但是，万物互联的时代，互联网、汽车电子、通信、智慧工厂等众多领域需求28nm等成熟工艺芯片，市场存在着巨大的产缺口。而此时的先进工艺，却因为产能利用率开始下滑，出现了削减或推迟订单，为此台积电甚至关闭了部分EUV光刻设备。
因此，在成熟工艺方面，中芯国际可是占足了时间节点和产能两大优势，抢先释放出更多的产能，获取更多此类芯片的订单。
其二，研发出55nm BCD工艺领先一步
近日，中芯国际在2022年上半年财报中表明，在核心技术方面，已完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产。
要知道，全球功率半导体市场仍然以BCD技术为基础，且功率半导体非常依赖成本驱动。就目前的状况来看， 全球主流在售的工艺在90-180nm，推进的最先进的技术在60nm左右。比如，台积电和三星今年上半年就表示，将推进BCD工艺到65nm。
与正常水平来衡量的话， 台积电和三星在BCD方面的技术也算是先进水平，但中芯国际的55nm工艺就又上升了一个跨度。 因此，在BCD工艺方面，中芯国际不仅突破了技术封锁，更是走在了世界的前沿。
第三，FinFET14nm工艺也有一定的竞争力
早在2019年第四季度，中芯国际就传出，其第一代 FinFET 14nm工艺已可以量产，并在规划第二代 FinFET N+1 工艺实现规模量产。2022年9月14日，从上海方面确认，中芯国际已经可以实现第二代 FinFET N+1（14nm）工艺规模量产。
从性能来看具有一定的竞争力
第二代 FinFET N+1 工艺与台积电的14nm相比， 提升了 20%性能，降低了 57%的功耗，缩小了63%的逻辑面积和55%的SoC面积 ，接近台积电 8nm 工艺。 另外，中芯国际还在布局FinFET N+2工艺的研发，此工艺就接近台积电7nm工艺，预计也会很快能量产。
对于中芯国际来说，在稀缺EUV光刻机设备前提下，通过先进技术实现这样性能的14nm工艺量产，已经是一大突破。
写在最后
中芯国际按部就班地努力着，先是集中精力把28nm成熟制程芯片做好，同时兼顾BCD工艺和14/7nm技术的研发。从上述表现来看，中芯国际在稳步布局，已在三大方面取得了不错的进展，因此，外媒才会认为：中芯国际优势逐渐显现了。
当然，先进制程工艺必不可少，但想要追赶更先进的工艺，还需要众多科企、芯企一起努力，坚持走自主研发之路，这样才可以走得更远。
对此，你怎么看呢？