GTO(Gate-Turn-Off Thyristor),门极可关断晶闸管,是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件,它的容量仅次于普通晶闸管,它应用的关键技术之一是其门极驱动电路的设计。
门极驱动电路设计不好,常常造成GTO晶闸管的损坏,而门极关断技术应特别予以重视。门极可关断晶闸管GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), 绝缘栅双极型晶体管的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器;GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度;MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),金属氧化物半导体场效应管驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的,驱动功率小且电路简单。