我国半导体产业发展初期，当科研人员远赴西方拜访ASML并表达完自己的见解后，却迎来了“给你们全部图纸也造不出光刻机”的嘲讽。但近两年ASML对大陆市场却高度热情，即便受到老美相关限制条令，也公然表态“不影响出口规则”“将中国排除在外会影响整个半导体行业的发展”等。
为什么近两年ASML对国内半导体企业的态度反差如此之大？作为一家企业势必与利益有很大的关系，因为下个芯片时代即将来临！国内、外传过来的三条消息，突然让大家醍醐灌顶！
国产光子芯片生产线将落地
自芯片被“断粮”之后，芯片引起了国内企业及科研机构的高度关注。而在国家的大力扶持之下，不仅国内科研机构宣布集中部分力量攻克光刻机，同时还在封装、下一代半导体领域提前展开了布局。
此前官媒报道，2023年国内首条光子芯片生产线将于北京建成并投入生产。由于光子芯片的高速并行能力远超传统硅基电子芯片，外加上在电阻方面的绝对优势，相同工艺的光子芯片其性能能达到电子芯片的1000倍，而且功耗仅为传统电子芯片的九万分之一，现有的成熟工艺所打造的光子芯片，就能实现甚至远超传统5nm、4nm电子芯片的水平，而光子芯片所采用的材料主要为InP、GaAS等二代化合物，更强的性能表现，廉价的制造成本，这是理想的下一代半导体技术。
华为量子芯片获突破
11月份，华为一项名为“超导量子芯片”的专利流出。简单来说，该专利的主要功能是降低量子比特之间的串扰，加强计算精度，提升计算速度。众所周知，量子芯片与传统电子芯片不同，工艺方面将是将量子线路集成在基片上，利用物理学的“叠加”“纠缠”，以指数级的形式大幅提升芯片的处理速度，据悉集成量子芯片的计算设备在计算某些重要任务时，计算速度能达到传统计算设备的百万倍。而超导量子芯片的制造过程，完全可以绕开ASML的光刻机，现有的成熟工艺就能轻松实现大规模量产。
美光绕过EUV光刻机
不能忽视的是，除了国内企业之外，一些海外巨头也在攻坚半导体核心技术！据媒体报道，美内存芯片巨头美光宣布，采用1β(1-beta)制造工艺的Dram内存芯片已经在某些手机制造商和芯片平台得到了验证，而且量产工作已全面准备就绪。
所谓1β制造工艺，这是美光融合专有的多重曝光光刻技术、先进材料、领先工艺来实现，这种技术可以绕过EUV光刻机，通过DUV光刻机即可实现量产，而且性能还提高了15%，内存密度提高了35%，最高速率可以达到8.5Gb。
在半导体发展的数十年里，老美筑起了一道坚实的芯片壁垒，中企为绕过EUV光刻机所带来的技术突破，许多国人持以半信半疑的心态，因为EUV光刻机汇聚了物理学、化学、光学、材料学等多领域的尖端技术，制造难度又极其复杂，没有任何一家企业能独立生产出来。但美光通过该1β制造工艺绕过EUV光刻机，也印证了中企对光量子芯片领域探索是可行的。
硅基芯片时代基本结束，下个时代即将来临
当EUV光刻机发展到5nm，之后就很难有巨大突破，精度已经逼近物理极限。虽说三星、台积电都带来了3nm制程工艺，但这只是通过修改晶体管栅极形态来实现，而对于3nm之后如何能带来性能、能效方面的跃进，大家都没有清晰的答案。
而对于那些不撞南墙不回头的晶圆厂，想要实现2nm、1nm制程工艺，不仅研发投入会大幅提升，效果还不一定能达到市场的需求，从各大IC企业这两年的挤牙膏操作就能发现。所以许多企业都在为延续摩尔定律做准备，而从各大厂家的表现也不难发现，更换新材料才是延续摩尔定律最有效的办法。
20世纪是硅时代，21世纪是碳、光、量子时代，半导体不能一直停留在过去，而下一代半导体又不会延续传统路线。虽然前方的岔路会比较多，但每一条路都会绕过ASML的EUV光刻机，这对于ASML而言，形势无疑是越来越严重了！
ASML虽然背后有西方技术与资本的支持，但想要长期领跑，就必须比别人跑得更快、看得更远，但现实却截然相反！种种芯片规则，不但限制了ASML的市场与成长空间，更让中企发现了危机感并开始自寻出路，这也应了任正非那句话“断供中企，会让美芯片企业自断后路！”
