众所周知，芯片是一个国家科技发展的基础，不管是航天航空、人工智能还是正在普及的5G通信以及新兴的新能源等领域都需要芯片的支持，才能得以正常运行。随着科技的发展，半导体芯片技术更是衡量一个国家综合实力的象征。而光刻机作为芯片制造所必需的设备，其重要性不言而喻。
华为手机之所以出现断崖式下滑，是因为没有高端芯片。一方面是因为台积电不能为华为代工麒麟芯片和美企无法出口，另一方面也是最主要的，国内没有可以制造7nm及以下的厂商，归根到底还是因为无法得到EUV光刻机。
要知道，不是国内没有生产高端芯片的技术，而是缺少制造高端芯片必须用到的EUV光刻机。事实上，中芯国际早在2019年就全资向ASML购买了一台EUV光刻机，由于众所周知的原因至今不能到货。
华为任正非曾说过：“华为可以设计出来高端芯片，只是国内没有可以生产的厂商”，很显然，阻碍华为获得高端芯片的关键是EUV光刻机。可恨的是，老美把该设备当成制裁华为等中企的一个“工具”。
面对这一情况，华为提出了芯片叠加技术，同时在近期发布了超导量子芯片的专利技术，可有效降低量子比特之间的串扰，这一技术是高通等美芯巨头至今无法突破的技术。
最重要的是，华为相关负责人先前就明确表示过，未来华为会采用芯片叠加技术以面积换性能的方式解决当前的高端芯片问题。这意味着，老美对华为的芯片禁令已经成为废纸一张。
要知道，量子芯片是完全可以绕开EUV光刻机的，摩尔定律的极限已经走到尽头，传统的电子芯片到3nm已经是极限，再往下成本就会越高。所以芯片巨头，台积电、美光以及高通都在寻求成本更低，并且可以绕开EUV光刻机的芯片制造方法。
首先，台积电宣布联合美光、三星记忆本以及SK海力士等19家芯片巨头成立3D Fabric联盟。目的是为了降低对EUV光刻机的依赖，也有业界人士认为台积电的这一做法，是“去美化”的开始。
众所周知，老美邀请三星、台积电等成立“四方联盟”以及赴美投资建厂，表面上市振兴美本土芯片产业和对中国半导体芯片发展进行围堵，实际上就是想要用三星和台积电的技术扶持本土芯片巨头英特尔。
美芯巨头AMD近期发布的RDNA 3架构的GPU验证了台积电选择的方向是正确的，因为此款GPU使用的是台积电的“3D Fabri”技术，由此可见3D封装技术未来可期。一旦达到成熟，就可以完全摆脱EUV光刻机，届时继续为华为代工芯片也不是不可能。
其次，芯片大厂美光推出了DRAM芯片，已经可以实现量产。要知道，此款芯片采用的是1-beta制造技术，这项技术不仅可以将芯片能效提升15%，并且还可以将存储密度提升35%，关键的是可以绕开EUV光刻机设备。
另外，我国第一条“多材料、多尺寸”的光子芯片生产线已经开始筹建，预计2023年可以建成投产。该生产线同样也是可以不依赖EUV光刻机的，要知道，光子芯片的性能要比电子芯片快100倍。
如果未来光子芯片在国内半导体行业得到广泛应用，那么我们就可以彻底的和ASML说再见了。
无论是华为的芯片叠加技术和超导量子芯片技术还是台积电的“3D Fabri”技术，或是美光的1-beta制造技术，这些技术的成功，都是在一定程度上降低对EUV光刻机的依赖，未来甚至可以完全绕开EUV光刻机。这意味着，华为、台积电等全球芯片巨头都开始对ASML说再见了。
摩尔定律已经走到尽头，半导体芯片市场未来一定是低成本、高性能的趋势。国内相关企业更要把握当下的机会，努力实现技术突破，并掌握核心技术，同时也要另辟蹊径取得主动权，这样才能彻底摆脱被“卡脖子”的局面。
