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美多次修改芯片规则后，台积电还是宣布在美建厂，投资120亿美元建设5nm芯片生产线。
在迁机仪式上，台积电刘德音又对外宣布，5nm芯片工厂建成后，将直接用于生产制造4nm芯片，并新建3nm芯片生产线。
据悉，台积电计划到2024年在美量产4nm芯片，2026年量产3nm芯片，两座工厂共计投资超400亿美元。
这些消息传来后，就有外媒表示美这是要掏空台积电，台积电或将变成美积电。
结果在台积电3nm芯片投产仪式上，刘德音当众宣布将持续投资台湾省，并将18工厂作为5nm/3nm芯片的重要制造基地，并扩大产能，预计投资超600亿美元。
在美投资400亿美元，转身就在台湾省投资超600亿美元，这意味着台积电的发展重点仍在台湾省，掏空台积电纯属无稽之谈。
用台积电自身的话说就是，我们被小瞧了。
其实，美早就邀请台积电建厂，台积电直接拒绝了，张忠谋明确表示在美建厂有效益，但我们一直都没有扩建，甚至称台积电在美建厂必败。
刘德音也公开表示希望保持现状，任何人不可能控制台积电。
虽然台积电在美建设4nm/3nm芯片生产线，预计总产能是4万片/月，其中，3nm芯片到2026年才能够量产。
无论是从产能还是工艺制程方面，掏空台积电的实属有点夸大。
再加上，台积电已经宣布在台湾省投资建设2nm芯片工厂，预计分六期建设，2024年试产，并在台积电总部选址建设1nm芯片。
这意味着最先进的芯片生产制造技术仍在台湾省，从3nm芯片投产时间就能够看出来，两者将会差3年之久。
关键是，台积电已经开启全球建厂模式，主要先进工艺的芯片产能放在台湾省，像14nm以下等工艺，尤其是先进的5nm/3nm等工艺，相对成熟的工艺则放在全球各地。
据了解，台积电已经计划咋日本建设第二座晶圆工厂，大概率还是以成熟工艺为主，而第一晶圆工厂主要生产22nm等制程的芯片，投资70亿美元。
台积电重启南京工厂扩产项目，主要生产制造28nm等制程的芯片，预计2023年建成投产。
台积电还计划在欧洲、印度等地区建厂，主要生产制造汽车芯片。
台积电加速在全球范围内建厂，一方面是为了获得更多芯片订单，从而降低对美芯订单的依赖，因为台积电六成收入依赖美芯订单，这是不健康的。
一旦美芯订单出现大幅度下滑的情况，台积电的营收和利润都会大幅度下降。
另一方面是在全球范围内争夺芯片资源。
要知道，生产制造芯片需要大量的用到纯水，并消耗大量的电力，还需要大量的芯片原材料等，台积电将成熟工艺的芯片产能分散出去，能够缓解台湾省的压力。
毕竟，因为缺水缺电给台积电生产制造芯片带来过压力。
再加上，全球多个地区都加速自研自产芯片，台积电在当地建厂，不仅缓解了代工订单的压力，还能够获得更多的补贴，在出货方面也更自由一些。
也正是因为如此，台积电才说我们被小瞧了。
